光刻是用光刻膠、掩模和紫外光進(jìn)行微制造，工藝如下：

　　（a）仔細(xì)地將基片洗凈；

 

　　（b）在干凈的基片表面鍍上一層阻擋層，例如鉻、二氧化硅、氮化硅等；

 

　　（c）再用甩膠機(jī)在阻擋層上均勻地甩上一層幾百A厚的光敏材料——光刻膠。光刻膠的實(shí)際厚度與它的粘度有關(guān)，并與甩膠機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比；

 

　　（d）在光掩模上制備所需的通道圖案。將光掩模復(fù)蓋在基片上，用紫外光照射涂有光刻膠的基片，光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；

 

　　（e）用光刻膠配套顯影液通過(guò)顯影的化學(xué)方法除去經(jīng)曝光的光刻膠。這樣，可用制版的方法將底片上的二維幾何圖形精確地復(fù)制到光刻膠層上；

 

　　（f）烘干后，利用未曝光的光刻膠的保護(hù)作用，采用化學(xué)腐蝕的方法在阻擋層上精確腐蝕出底片上平面二維圖形。

 

　　微流控芯片的產(chǎn)品特點(diǎn)：

　　提供真空環(huán)境，提高成功率

 

　　采用真空熱壓系統(tǒng)，可根據(jù)不同材料、不同芯片通道寬度、深度設(shè)定壓力、溫度、時(shí)間，以達(dá)到熱壓及鍵合要求。

 

　　控溫準(zhǔn)確，面內(nèi)熱分布均勻

 

　　設(shè)備使用恒溫控制加熱技術(shù)，實(shí)現(xiàn)溫度精確控制；鋁合金工作平臺(tái)，上下面平整，熱導(dǎo)速度快、熱導(dǎo)均一。

 

　　適用于多種尺寸芯片加工，實(shí)驗(yàn)成本低

 

　　設(shè)備加熱鍵合面積大，涵蓋常用尺寸的微流控芯片。

 

　　參數(shù)精準(zhǔn)可調(diào)

 

　　該設(shè)備可針對(duì)不同材料設(shè)置鍵合溫度、壓力與真空度，精準(zhǔn)低偏差。

 

　　操作靈活簡(jiǎn)單，上手快

 

　　工作平臺(tái)操作方式為上下芯片手工對(duì)準(zhǔn)貼合，自動(dòng)加壓鍵合。